Номер детали производителя : | S1DLS RQG | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GP 200V 1.2A SOD123HE | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | S1DLS RQG.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | S1DLS RQG |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GP 200V 1.2A SOD123HE |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | S1DLS RQG.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.3 V @ 1.2 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 200 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | SOD-123HE |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Упаковка / | SOD-123H |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1.2A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
Базовый номер продукта | S1D |
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
DIODE GP 200V 1.2A SOD123HE
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GP 200V 1.2A SOD123HE
DIODE GP 200V 1.2A SOD123HE
DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
DIODE GP 200V 1.2A SOD123HE
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA